代理分销品牌
元器件现货库存，可立即发货,为中小型工厂采购进一步降低成本，保证供货稳定
东芝半导体
东芝电子元件（上海）有限公司专责处理东芝电子元件及存储装置株式会社的产品在中国市场的销售和业务推广，资材采购支援、客户技术支持、外包生产技术支持。为广大客户提供优质服务。东芝电子元件（上海）有限公司销售的产品都是东芝所设计及生产的高科技半导体产品。适用于汽车电子、消费类电子、移动通信设备、电脑、音响器材、卫星导航设备等。
|
SiC功率器件 |
MOSFET |
IGBT／IEGT |
二极管 |
|
SiC MOSFET |
12V - 300V MOSFET 东芝使用每一代连续的沟槽栅极结构和制造工艺来稳定降低其低压功率MOSFET的漏源导通电阻RDS(ON)。 400V - 900V MOSFET 东芝提供适合高输出电源应用的超级结MOSFET系列产品和适合低输出电源应用的D-MOS（双扩散）MOSFET系列产品。 车载MOSFET 东芝提供广泛的功率器件系列，例如适用于各种汽车应用（包括12V电池和电机控制系统）的功率MOSFET。 |
IGBT 东芝分立IGBT有助于IH烹饪设备、电饭锅、厨房微波炉、冰箱、洗衣机、空调等应用的节能。 IEGT（PPI） IEGT出色的关断性能和宽的安全工作区域有助于降低功耗、缩小尺寸并提高设备效率。 |
开关二极管 东芝提供正向电流范围为80 mA至500 mA1电路至4电路产品，采用适合高密度电路板组装的小型表面贴装封装。 肖特基势垒二极管 东芝提供优质低VF型和低IR型的通用乃至大功率产品。这有助于提高各种设备的功率效率和节能。 齐纳二极管 齐纳二极管具有从6.2 V到82 V的广泛齐纳电压规格，其广泛的应用领域包括消费电子和工业电子。 整流二极管 反向电压在200 V至1000 V之间，平均正向电流在0.5 A至3 A之间的二极管，以中小型贴片式封装提供。 |
SiC MOSFET模块iXPLV操作说明
SiC MOSFET模块iXPLV操作说明
应用说明
4 / 14 2024-12-11
版本1.0.4
© 2021 -2024
东芝电子设备与存储株式会社
SiC MOSFET模块（iXPLV）的特点
碳化硅（SiC）是一种具有高击穿场、饱和电子的半导体材料
与硅（Si）相比。因此，当用于半导体时
器件，它们实现了更高的耐压性、更高的开关速度和更低的导通电阻
与Si器件相比。预计这将是下一代低损耗设备，有助于降低
功耗和系统小型化。
iXPLV（智能柔性封装低压）是一种配备硅的SiC MOSFET模块
用于工业设备的碳化硅（SiC）MOSFET芯片。这个新模块满足了高-
用于工业应用的紧凑型设备，
以及可再生能源发电系统。
内部电路
iXPLV是一种电路配置，其中两个设备安装在封装中。它有一个热敏电阻
用于温度感测，电感用于电流感测。
用于温度感应的热敏电阻安装在端子6和8之间。请参阅数据表
用于热敏电阻的额定电阻和B值。
电流感测电感（LsCS）安装在端子1（电流感测端子）之间
以及端子8（下臂源感测端子）。LsCS值请参考数据表